DISPOSITIVI ELETTRONICI

Il corso ha lo scopo di fornire le nozioni di base della fisica dei semiconduttori, delle tecnologie di fabbricazione dei circuiti integrati e della modellistica dei principali dispositivi elettronici (diodi, transistori bipolari e transistori MOS).

Con riferimento ai dispositivi oggetto di studio, alla fine del corso, lo studente dovrà essere in grado di analizzarne la polarizzazione fornendo un’adeguata modellistica circuitale e dovrà essere capace di discernere quali caratteristiche costruttive (di processo o di progetto) ne influenzino le prestazioni. Lo studente, sarà altresì in grado di analizzare alcuni semplici passi di fabbricazione dei dispositivi in tecnologia integrata.

Il corso ha lo scopo di fornire le nozioni di base della fisica dei semiconduttori, delle tecnologie di fabbricazione dei circuiti integrati e della modellistica dei principali dispositivi elettronici (diodi, transistori bipolari e transistori MOS).

Con riferimento ai dispositivi oggetto di studio, alla fine del corso, lo studente dovrà essere in grado di analizzarne la polarizzazione fornendo un’adeguata modellistica circuitale e dovrà essere capace di discernere quali caratteristiche costruttive (di processo o di progetto) ne influenzino le prestazioni. Lo studente, sarà altresì in grado di analizzare alcuni semplici passi di fabbricazione dei dispositivi in tecnologia integrata.

L’insegnamento viene svolto tramite lezioni di didattica frontale. Circa un terzo delle lezioni è dedicato ad esercitazioni numeriche in aula.

Si richiede una buona conoscenza dei contenuti di Analisi Matematica I con particolare riferimento agli strumenti matematici di base (limiti, derivate e integrali) e alle tecniche di studio delle funzioni. Sono altresì richieste le conoscenze dei contenuti di Fisica I e Fisica II per quanto riguarda le tecniche di analisi e modellistica dei fenomeni fisici e la conoscenza delle principali grandezze elettriche. Ulteriori argomenti, quali la Trasformata di Laplace, i diagrammi di Bode o i metodi di analisi di circuiti lineari (impartiti negli insegnamenti di Elettrotecnica o Teoria dei sistemi) seppur non fondamentali, possono essere di valido aiuto nella comprensione della materia.

La frequenza non è obbligatoria, seppur fortemente consigliata.

Corrente di deriva. Coefficiente di mobilità. Legge di Ohm. Il silicio come semiconduttore. Elettroni Campo e potenziale elettrico. Corrente e densità di corrente. Agitazione termica degli elettroni. e lacune. Concentrazione intrinseca. Semiconduttori drogati. Tipi di drogaggio e loro effetti. Mobilità nei semiconduttori drogati. Equilibrio termico e legge dell'azione di massa. Legge della neutralità di carica. Processi di generazione/ricombinazione e iniezione di portatori. Bassi e alti livelli di iniezione. Transitorio di ricombinazione. Processi di diffusione. Corrente di diffusione. Relazione di Einstein. Equazione di continuità (legge di conservazione della carica). Carica iniettata e profilo dei portatori minoritari. Potenziale in un materiale a concentrazione non uniforme. Equazioni di Boltzmann. Potenziale di Fermi.

Diodi

Giunzione pn. Regione di carica spaziale. Analisi della giunzione a gradino: campo elettrico, potenziale, larghezza della regione svuotata. Analisi della giunzione lineare: campo elettrico, potenziale, larghezza della regione svuotata. Giunzione pn fuori dall'equilibrio: barriera di potenziale e flussi di portatori in polarizzazione diretta e inversa. Portatori al contorno della regione svuotata. Diodo a base lunga: profilo dei portatori minoritari, densità di correnti. Diodo a base corta: profilo dei portatori minoritari, densità di correnti, tempi di transito. Caratteristica corrente-tensione della giunzione pn. Effetti di secondo ordine: bassi ed alti livelli di iniezione. Dipendenza dalla temperatura. Effetti capacitivi: capacità di svuotamento, capacità di diffusione. Rottura della giunzione e diodi Zener. Giunzioni metallo-semiconduttore: diodi Schottky e contatti ohmici. Modelli circuitali statici. Analisi di piccolo segnale. Modello di piccolo segnale per bassa frequenza. Modello di piccolo segnale per alta frequenza.

Transistore bipolari

Tipi di transistori: npn e pnp. Transistore in equilibrio. Regioni di funzionamento. Analisi del transistore bipolare in regione attiva diretta. Amplificazione di corrente nella configurazione a base comune. Efficienza di emettitore. Fattore di trasporto in base. Amplificazione di corrente nella configurazione a emettitore comune. Legami funzionali corrente-tensione nel transistore bipolare: configurazione Forward e Reverse. Modello di Ebers-Moll. Semplificazione del modello di Ebers-Moll: regione di interdizione, regione attiva diretta, regione attiva inversa, regione di saturazione. Effetti di secondo ordine: effetto Early, dipendenza di bF dalla corrente di collettore. Curve caratteristiche nella configurazione ad emettitore comune. Effetti capacitivi: capacità base-emettitore, capacità base-collettore. Dipendenza dalla temperatura. Modelli di piccolo segnale per bassa frequenza. Modelli di piccolo segnale per alta frequenza. Frequenza di transizione. Effetti parassiti: resistenze distribuite e capacità di substrato.

Transistore MOS

Il condensatore MOS. Potenziale di banda piatta. Effetto della tensione gate-substrato nel condensatore MOS. Regioni di funzionamento: accumulazione, svuotamento, debole inversione, forte inversione. Potenziale di superficie e regioni di funzionamento. Tensione di soglia del condensatore MOS. Il transistore MOS: principio di funzionamento. Legami funzionali corrente-tensione nel transistore MOS: analisi del canale di conduzione espressione della corrente di drain. Regioni di funzionamento: interdizione, triodo e saturazione. Effetto body. Modulazione della lunghezza di canale. Effetti capacitivi: capacità gate-source, capacità gate-drain, capacità drain-bulk e source-bulk. Modelli di piccolo segnale per bassa frequenza. Modelli di piccolo segnale per alta frequenza.

Tecnologia planare

Ossidazione termica. Diffusione termica: legge di Fick e profili di diffusione. Impiantazione ionica. Deposizione di strati sottili: deposizione chimica in fase vapore, deposizione fisica in fase vapore. Trattamenti per migliorare la fetta: annealing e gettering. Fotolitografia: mascheratura, esposizione e attacco. Processo bipolare. Processo CMOS.

1. G. Giustolisi, G. Palumbo, Introduzione ai Dispositivi Elettronici, Franco Angeli, 2005.
2. R. S. Muller, T. I. Kamins, Dispositivi elettronici nei circuiti integrati, Bollati Boringhieri, 1993.
3. S. Dimitrijev, Understanding semiconductor devices, Oxford University Press, 2000.

L’apprendimento viene verificato attraverso l'esame finale. Questo consiste in una prova scritta, della durata di 2 ore, e in un colloquio orale. La prova scritta, propedeutica al colloquio orale, consta di 5 esercizi numerici che coprono i contenuti del corso. Ad ogni domanda viene assegnato un punteggio da 0 a 6 che tiene conto della correttezza del procedimento, della chiarezza espositiva, della correttezza dei calcoli e di quanto lo studente sia riuscito a completare.

Gli studenti che conseguono un voto inferiore a 15 non hanno conoscenze adeguate al superamento dell’esame e non sono ammessi al colloquio orale. Il risultato della prova scritta viene convertito in una scala di giudizi [RISERVA (da 15 a 18), SUFFICIENTE (da 19 a 22), DISCRETO (da 23 a 26) e BUONO (da 27 a 30)] e pubblicato sulla piattaforma studium.unict.it. Gli studenti ammessi con riserva, avranno una limitazione sul voto finale (max 25/30). Il colloquio orale si svolge principalmente su due argomenti sui quali lo studente deve dimostrare adeguata comprensione, padronanza degli argomenti discussi e chiarezza espositiva. Il voto finale terrà conto del risultato della prova scritta e, con maggior peso, dell’esito del colloquio orale.

Dimostrare la relazione di Einstein

Ricavare l’equazione di continuità.

Data una giunzione pn, supponendo valida l’approssimazione a gradino, ricavare l’andamento del campo elettrico e del potenziale.

Ricavare la relazione corrente-tensione in un diodo a base lunga.

Dato un transistore BJT di tipo pnp, ricavare le espressioni dei profili dei portatori minoritari nella tre regioni.

Dato un transistore BJT di tipo n-p-n, ricavare l'espressione del fattore di trasporto in base.

Descrivere a cosa sia dovuto l’effetto Early nel transistore BJT.

Dato un condensatore MOS con substrato di tipo p, ricavare l'espressione della tensione di soglia.

Ricavare la relazione corrente-tensione per un transistore MOS a canale n nella regione di triodo.

Descrivere l’ossidazione termica e ricavarne le relazioni.

Descrivere l’impiantazione ionica e riportarne alcuni esempi di utilizzo.